檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "SiC".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="單晶碳化矽晶圓"
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在高功率元件裡相較於單晶單化矽(Silicon)具有高崩潰電壓高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率,然而單晶碳化矽具有高硬度(Mohs 9.2)…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在材料特性以及機械性質上相較於其他半導體材料,具有更明顯的優勢,如具有高崩潰電壓及低的阻抗,在高功耗應用端以及半導體市場中越來越受矚目,但也…